全球最大半导体设备龙头ASML已着手研发下一代先进光刻设备，为未来十年的芯片产业做准备。该公司技术执行副总裁Jos Benschop向日经亚洲指出，这项技术足够先进，可满足2035年之后的制程需求。
Jos Benschop表示，ASML及独家光学合作伙伴蔡司（Carl Zeiss）正在研究可在单次曝光中印刷出分辨率精细到5纳米电路的机器设计，并补充这项技术将足以满足2035年及之后的产业需求。
ASML 最近才开始出货业界最先进设备，已可达到单次曝光 8 纳米分辨率。 相较之下，较旧设备须多次曝光才能达到类似分辨率，不仅效率较低，制造质量也不一定。
Benschop指出，我们正与蔡司进行设计研究，目标是实现数值孔径（NA）0.7 或以上的系统，目前尚未设定具体上市时间表。
数值孔径（NA）是衡量光学系统收集与聚焦光线能力的关键指标，也是决定电路图样能否精细投影到晶圆上的关键因素。 当 NA 越大、光波长越短，印刷分辨率就越高。
目前标准EUV设备的NA为0.33，最新一代High NA EUV则提升至0.55。 而ASML正朝向NA 0.7或超高NA（Hyper NA）迈进，需要重新设计几个关键系统。
ASML 目前已向英特尔、台积电交付首批 High NA EUV 设备，不过 Benschop 表示，大规模采用仍需时间，产业界必须先验证新系统的性能，并开发配套材料与工具，才能全面启动，「这次新设备的导入与历年来推出的创新工具情况类似，通常要几年后才会进入大量产出阶段。 客户需要学习如何作，但我相信它很快会被用于高产能的芯片制造流程中“。
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